bsuir.info
БГУИР: Дистанционное и заочное обучение
(файловый архив)
Вход (быстрый)
Регистрация
Категории каталога
Другое [43]
Форма входа
Логин:
Пароль:
Поиск
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Файловый архив
Файлы » ПЭ » Другое

ПЭУиС Курсовая 8 Вариант
Подробности о скачивании 02.03.2014, 19:14
8. Высокотемпературное окисление кремния в цикле сухой- влажный- сухой кислород.
1 Решить обратную задачу по термодиффузии

Исходные данные:
Тип подложки – КЭФ-40, внедряемая примесь – В (бор), толщина диффузионного слоя – 0,2 мкм, поверхностное сопротивление – 60 Ом/кв, процесс – 2 стадии, С02 = 5·1018 см-3.
Определение режима процесса диффузии на основании параметров конечного распределения примеси в структуре.
2 Решить обратную задачу по ионному легированию

Исходные данные:
Тип подложки – КДБ-10, примесь – P (фосфор), глубина имплантации – 0,12 мкм, поверхностное сопротивление – 45 ОМ/кВ.
(КДБ-10 — кремний с дырочной электропроводностью (р-типа), легированный бором), удельное сопротивление подложки 10 Ом/см
Категория: Другое | Добавил: Klaus
Просмотров: 960 | Загрузок: 6
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]