8. Высокотемпературное окисление кремния в цикле сухой- влажный- сухой кислород. 1 Решить обратную задачу по термодиффузии
Исходные данные: Тип подложки – КЭФ-40, внедряемая примесь – В (бор), толщина диффузионного слоя – 0,2 мкм, поверхностное сопротивление – 60 Ом/кв, процесс – 2 стадии, С02 = 5·1018 см-3. Определение режима процесса диффузии на основании параметров конечного распределения примеси в структуре. 2 Решить обратную задачу по ионному легированию
Исходные данные: Тип подложки – КДБ-10, примесь – P (фосфор), глубина имплантации – 0,12 мкм, поверхностное сопротивление – 45 ОМ/кВ. (КДБ-10 — кремний с дырочной электропроводностью (р-типа), легированный бором), удельное сопротивление подложки 10 Ом/см
