1) название дисциплины:Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем (ППиЭИМ) 2) специальность: МиНТиС 3) форма обучения: ФЗО 4) тип работы: Контрольная 5) год выполнения работы: 2011 6) условия задания: Условие: Используя энергетические диаграммы МДП-структур, объясните принцип работы р-канального МДП-транзистора с индуцированным каналом. Кремниевый диод: величина обратного тока Iобр = 5e12 A , величина тока генерации в p-n- переходе IG = 4,98e12 A . Температура Т = 300 К. Считая, что диод полностью открыт, определите величину прямого тока. Падением напряжения в объеме базы пренебречь.
