2. Зададимся положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитаем для нее значения h-параметров БТ. Для определения дифференциальных парамет-ров h11э и h12э в заданной рабочей точке А (UБЭ0, IБ0, UKЭ0) на линейном участке семейства входных характеристик необходимо выполнить построения, как показано на рис. 1.
Рис 1. – Входные характеристики транзистора КТ3127
Найденные приращения токов и напряжений позво¬ляют определить искомые параметры:
(1)
Рис 2. – Выходные характеристики транзистора КТ3127
h_11э=(0,76-0,7)/((0,6-0,2) 〖10〗^(-3) )=150 Ом
(2)
h_12э=(0,76-0,723)/(15-5)=3,7∙〖10〗^(-3)
3. Параметры h21э и h22э определяем по семейству выходных характери¬стик. В окрестности точки А' (IK0, UКЭ0, IБЭ0), соответствующей точке А на семействе входных характеристик, выполним построения как показано на рис. 2. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:
(3)
h_21э=((25-7)〖10〗^(-3))/((0,6-0,2) 〖10〗^(-3) )=45
(4)
h_22э=((15,8-14,2)〖10〗^(-3))/(15-5)=1,6∙〖10〗^(-4) См
4. На основании полученных числовых значений параметров рассчитываем параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора (рис. 3).
Рис. 3
5. Вычисляем дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода: (5)
r_э=(3,7∙〖10〗^(-3))/(1,6∙〖10〗^(-4) )≈23 Ом
6. Вычисляем дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:
(6)
r_к^*=1/(1,6∙〖10〗^(-4) )=6,25 кОм
7. Находим коэффициент усиления по току:
(7)
β=45
6. Вычисляем дифференциальное сопротивление базового перехода:
