I. Выберите правильный вариант видовременной формы глагола, перепишите предложения и переведите их на русский язык, указав, в какой видовременной форме находится выбранный вами глагол. 1. In the late 18th century optical telegraphs were invented by Claude Chappe in France and by George Murray in England. - В конце 18-го столетия оптические телеграфы были изобретены Клодом Чаппом во Франции и Джорджом Мюреем в Англии. (Passive Voice, Past Simple) 2. In radio telephones such as cellular mobile telephones, voice signals are sent across town or over long distances by microwaves. – В радиотелефонах таких как сотовые мобильные телефоны, голосовые сигналы передаются через весь город или на длинные дистанции микроволнами. (Passive Voice, Present Simple) 3. Some projects have not yet been put into effects, because of the great technological difficulties to be overcome. – Некоторые проекты еще не были помещены в эффекты из-за больших технологических трудностей, которые будут преодолены. (Passive voice, Present Perfect) 4. Since satellite systems do not require the construction of intermediate relay or repeater stations they can be put into service much more rapidly. - Так как спутниковые системы не требуют строительства промежуточных реле или радиорелейных систем они могут быть введены в эксплуатацию значительно быстрее.(Passive Voice? Present Simple)
II. Прочитайте предложения, перепишите их, выделив указательные местоимения. Переведите письменно предложения на русский язык. 1. Those steps which can be programmed in advance offer the best opportunity for automation. – Те шаги, которые могут быть запрограммированы заранее предлагают наилучшие возможности для автоматизации. 2. That radio doesn’t receive the BBC World Service very well. – Это радио не получает BBC World Service очень хорошо. 3. Telecommunications usually involve a sender of information by a technology, such as a telephone system, that transmits information from one place to another. – Телекоммуникации обычно вовлекают отправителя информации с помощью технологии, такой как телефонная сеть , которая передаёт информацию из одного места в другое. 4. The television audio signals are received by equipment similar to that used in other forms of radio. – Телевизионные аудио-сигналы получены оборудованием подобным используемому в других формах радио. III. Прочитайте предложения, перепишите их, обращая внимание на выделенное местоимение it, переведите предложения на русский язык. 1. It is clear that the device is out of order. – Ясно, что устройство не в порядке. 2. It is one of the most important branches of science. – Это один из самых важных разделов науки. 3. Electronics is a rather young science. It belongs to the twentieth century. – Электроника является довольно молодой наукой. Она принадлежит к ХХ веку. 4. . The use of the new equipment made it possible to minimize the number of workers. – Использование нового оборудования позволило минимизировать число рабочих. 5. It was Russian scientist A.S. Popov who discovered the principles of radio communication. – Это был русский ученый А.С. Попов, который обнаружил принципы радиосвязи. IV. Прочитайте предложения, перепишите их, обращая внимание на выделенные слова ones, one, переведите предложения на русский язык. 1. One of the first types of laser was called a ruby laser. – Один из первых типов лазеров назвали рубиновым лазером. 2. One can hardly find a sphere where power is not used. – Вряд ли можно найти сферу, где власть не используются. 3. Some substances are efficient conductors, others – poor ones. – Некоторые вещества являются эффективными проводниками, другие – бедные. 4. The simplest materials are those which have only one kind of atoms. – Самые простые материалы те, у которых есть только один вид атомов. V. Перепишите предложения, употребив глаголы в правильной видовременной форме, переведите предложения на русский язык. Обратите внимание на функции глаголов to have, to do, to be в предложениях. 1. Fax (to have) the advantage of speed. – Fax has the advantage of speed. – Факс имеет преимущество в скорости. 2. The road (to have) to be built to take traffic away from the city centre. - The road had to be built to take traffic away from the city centre. – Дорога должна была быть построена , чтобы убрать движение из ценра. 3. They (to be) to prepare everything for the experiment three days ago. - They were to prepare everything for the experiment three days ago. – Они должны были подготовить все к эксперименту три дня назад. 4. The Internet (to be) a computer-based worldwide information network . - The Internet is a computer-based worldwide information network. – Интернет – это компьютерная международная информационная сеть. 5. He (to do) not like publicity, and prefers to stay firmly in the background. - He does not like publicity, and prefers to stay firmly in the background. - Он не любит публичности и твердо предпочитает оставаться на заднем плане. 6. Semiconductors (to do) possess many wonderful properties. – Semiconductors does possess many wonderful properties. – Полупроводники действительно обладают многими замечательными свойствами. VI. Перепишите предложения, подчеркните инфинитив. Переведите предложения на русский язык. 1. The laser’s most important potential may be its use in communications. – Наиболее важным потенциалом лазера может быть его использование в области связи. 2. In 1887 Heinrich Hertz tried to prove the existence of radio waves. – В 1887 Генрих Герц пытался доказать существование радиоволн. 3. Neil Armstrong was the first person to walk on the moon. – Нил Армстронг был первым человеком ходившем по луне. 4. To recognize a problem is the first step to its solution. – Признать проблему это первый шаг к её решению. VII. Перефразируйте следующие предложения, употребив субъектный инфинитивный оборот. Напишите их и переведите на русский язык. 1. It was proved that the telephone was better than the telegraph. – The telephone is proved was better than the telegraph. – Доказано, что телефон был лучше чем телеграф. 2. It is reported that an optical equivalent of a transistor has been produced. – Optical equivalent of a transistor is reported to be produced. – Сообщают, что оптический эквивалент транзистора произведен. 3. It is said that he is one of the most promising nuclear physicists. – He is said one of the most promising nuclear physicists. – Сказано, что он один из самых многообещающих ядерных физиков. 4. It is known that the operator works well. – The operator is known is working well. – Известно, что оператор работает хорошо.
Работа над текстом
I. Прочитайте текст, используя пояснения к тексту. Выполните упражнения к тексту. II. Укажите какие из данных утверждений соответствуют содержанию текста. 1. The conductive properties of semiconductors may be modified. – True. 2. A donor atom takes weakly – bound valence electrons off the material. - True 3. Semiconductors doped with donor impurities are called p-type. - False 4. The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its electric properties. - False 5. Doped semiconductors have conductivity levels comparable to metals. – True III. Выберите правильные ответы на вопросы. 1) How is the process of introduction of impurities into the crystal lattice of semiconductors called? a) Etching. b) Doping - True. c) Oxidation. 2) What does the choice of materials as dopants depend on? a) The atomic properties - True b) The electric properties. c) The weight of materials. 3) What is the most important factor that doping directly affects? a) The temperature of the material - True b) The presence of an electric field in the material. c) Material’s carrier concentration. IV. Прочитайте предложения. Выберите правильный вариант перевода. 1. The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped. a) Выбор подходящего для легирования материала зависит от атомных свойств как примеси, так и легируемого материала. b) Материалы в качестве легирующих зависят от атомных свойств обоих материалов: и примеси, и легируемого – True. c) Выбор подходящих для легирования материалов зависит как от примесного, так и легируемого материалов. 2. Therefore, a silicon crystal chopped with boron creates a p-type semiconductor, whereas one doped with phosphorus result in n-type material. a) Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает р-тип полупроводника, в то время, как он, легируемый фосфором, результирует в n-тип материала – True. b) Таким образом, в результате легирования бором кристалла кремния создается полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа. c) Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа. 3. It is useful to note that even degenerate levels of doping imply low concentrations of impurities with respect to the base semiconductor. a) Следует отметить, что даже высокие степени легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику – True. b) Следует отметить, что даже высокие степени легирования предполагали низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику. c) Следует отметить, что даже высокие уровни легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к базовому полупроводнику. V. Переведите письменно абзацы 1 – 3 текста. Doping and Dopants 1. The property of semiconductors that makes them most useful for constructing electronic devices is that their conductivity may easily be modified by introducing impurities into their crystal lattice. The process of adding controlled impurities to a semiconductor is known as doping. The amount of impurity, or dopant, added to an intrinsic (pure) semiconductor varies its level of conductivity. Doped semiconductors are often referred to as extrinsic. 2. The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped. In general, dopants that produce the desired controlled changes are classified as either electron acceptors or donors. A donor atom that activates (that is, becomes incorporated into the crystal lattice) donates weakly-bound valence electrons to the material, creating excess negative charge carriers. Semiconductors doped with donor impurities are called n-type, while those doped with acceptor impurities are known as p-type. 3. The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its concentration and indirectly affects many of its electrical properties. The most important factor that doping directly affects is the material's carrier concentration. In an intrinsic semiconductor under thermal equilibrium, the concentration of electrons and holes is equivalent. Intrinsic carrier concentration varies between materials and is dependent on temperature. Silicon's ni, for example, is roughly 1×1010 cm-3 at 300 Kelvin (room temperature). Допинг и легирующая примесь. 1. Свойства полупроводников, которые делают их наиболее полезными для построения электронных устройств является то, что их проводимость может быть легко изменена путем введения примесей в их кристаллическую решетку. Процесс добавления контролируемых примесей в полупроводнике известный как допинг. Количество примеси, или легирующая примесь, добавленный к свойственному (чистому) полупроводнику, изменяет свой уровень проводимости. Легированные полупроводники часто называют внешними. 2. Материалы в качестве легирующих зависят от атомных свойств обоих материалов: и примеси, и легируемого.. В общем, примесей, которые производят желаемого контролируемые изменения классифицируются как акцепторы электронов или доноров. Донорного атома, который активирует (то есть, становится включенным в кристаллическую решетку) жертвует слабо связанных валентных электронов в материал, создавая избыток отрицательных носителей заряда. Полупроводников, легированных донорными примесями называют N-типа, а те, легированных акцепторными примесями называются р-типа. 3. Концентрация легирующей примеси, введенного свойственному полупроводнику, определяет свою концентрацию и косвенно влияет многие из его электрических свойств. Наиболее важным фактором, который непосредственно влияет на допинг является концентрация носителей материала. В собственном полупроводнике при тепловом равновесии, концентрации электронов и дырок эквивалентны. Внутренняя концентрация носителей варьируется от материалов и зависит от температуры. Н. И. кремния, например, составляет примерно 1 × 1010 см-3 при 300 градусах Кельвина (комнатной температуры). Список литературы: 1. «Путеводитель по грамматике английского языка», Т.К. Цветкова, Проспект, 168 стр. 2. «Английская грамматика в таблицах», Н. К. Арцинович, Полиграфиздат, 112 стр., 2010 г. 3. «Основы английской грамматики», Дейв Виллис, Джон Райт, Астрель, 240 стр., 2004 г. 4. «Вся английская грамматика. Полный курс», Мари Плу, Астрель, 108 стр., 2009 г.
