bsuir.info
БГУИР: Дистанционное и заочное обучение
(файловый архив)
Вход (быстрый)
Регистрация
Категории каталога
Другое [37]
Белорусский язык [248]
ВОВ [92]
Высшая математика [468]
Идеология [114]
Иностранный язык [633]
История Беларуси [248]
Культурология [42]
Логика [259]
НГиИГ [120]
Основы права [8]
Основы психологии и педагогики [7]
Охрана труда [7]
Политология [179]
Социология [120]
Статистика [31]
ТВиМС [83]
Техническая механика [43]
ТЭЦ [85]
Физика [146]
Философия [169]
Химия [76]
Экология [35]
Экономика предприятия [35]
Экономическая теория [170]
Электротехника [35]
ЭПиУ [44]
Этика [5]
Форма входа
Поиск
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Файловый архив
Файлы » Общевузовские предметы » Физика

Изучение диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектриков
Подробности о скачивании 07.05.2012, 22:34
Цель работы: Ознакомиться с основными характеристиками диэлектриков (вектором поляризации Р , диэлектрической восприимчивостью , диэлектрической проницаемостью ), ознакомиться с методом получения петли диэлектрического гистерезиса, изучить нелинейные свойства сегнетоэлектриков.

Средства измерений и измерительные приборы:

Наименование прибора Тип
прибора Инстр. погрешность в форме указан. документацией на прибор Цена деления прибора(мм)
Осцилограф С1-77 10

Схема лабораторной установки:



Основные расчётные формулы:

1. Е = х . R1 + R2 . x
d R2
2. Р = Сэт. у . у
S
3.  = Р_
0 


Ход работы.

Результаты измерений и вычислений в таблице:
№ опыта U,B X,мм Y,мм E,B/м, 103 Р,Кл/м2, 10-3 
1 5 3 0 0,83 0 0
2 10 6 2 1,67 0,74 1
3 15 9 7 2,5 2,6 1,75
4 20 12,5 11,5 3,48 4,27 1,82
5 25 15,5 16 4,31 5,95 1,93
6 30 19 24 5,29 8,93 2,26
7 35 21 24 5,84 8,93 2,01
8 40 22,5 24 6,26 8,93 1,86
9 45 24 24 6,67 8,93 1,72
10 50 25 24 6,96 8,93 1,64
11 55 26,5 24 7,37 8,93 1,54
12 60 28 24 7,79 8,93 1,45
13 65 29,5 24,5 8,21 9,12 1,4
14 70 31 24,5 8,62 9,12 1,32
15 75 32,5 24,5 9,04 9,12 1,26
16 80 33,5 24,5 9,32 9,12 1,21
17 85 35 24,5 9,74 9,12 1,15
18 90 36,5 24,5 10,16 9,12 1,1
19 95 38 24,5 10,57 9,12 1,05
20 100 39,5 24,5 10,99 9,12 1,01

Зависимость Р(Е)

Зависимость (Е)


В ы в о д.
Методом прямых измерений определили координаты «Х» и «У» вершин петли гистерезиса, изменяя напряжение U, создающее электрическое поле на объекте.
Методом косвенных измерений получаем напряжённость Е, поляризацию Р и диэлектрическую проницаемость . По полученным данным строим графики зависимости Р=Р(Е) и =(Е).До достижения точки перегиба Р(Е) резко возрастает, затем продолжает возрастать с меньшей скоростью, достигая насыщения. С возрастанием напряжённости Е электрического поля,  возрастает и достигает максимального значения =2,26*105 при Ек=5,29 кВ/м и затем уменьшается. Значение Ек соответствует точке перегиба на кривой Р(Е), а диэлектрическая проницаемость  в этой точке достигает своего максимального значения.
Категория: Физика | Добавил: Arhast
Просмотров: 2408 | Загрузок: 50
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]