1. Рассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от -5 до +0.7 В при Т = 300 К и обратном токе насыщения I_0 = 0,4 нА. Значение теплового потенциала φT= при Т = 300 К принять равным 0.026 В. Определить дифференциальное сопротивление r_диф и статическое сопротивление R_0 диода для заданного значения U_пр=0,35 В.
2. Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки R_h. Параметры стабилитрона U_ст=8 В,I_(ст min)=5 мА, I_(ст max)=30 мА,R_h=1 кОм. Определить величину сопротивления ограничительного резистора R_огр, если напряжение источника U_вх изменяется от U_(вх min) = 20 В до U_(вх max) = 30 В. Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения входного напряжения U_вх ?
3. Пользуясь справочными данными, приведите семейство входных и выходных характеристик БТ с ОЭ. В качестве независимых переменных используйте входное и выходное напряжение. Тип транзистора – КТ 3117. Поясните поведение входных и выходных характеристик транзистора. По справочнику установите максимально допустимые параметры БТ: постоянный ток коллектора ; напряжение коллектор–эмиттер ; мощность рассеиваемую коллектором транзистора . На семейство выходных характеристик нанесите границы области допустимых режимов работы. Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитайте для нее значения h-параметров БТ. На основании полученных числовых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.
